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Si8461DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.20
0.16
I D = 1 A
0.12
T J = 125 °C
1
0.1
T J = 25 °C
0.0 8
0.04
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
0.9
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0. 8
I D = 250 μ A
20
0.7
15
0.6
10
0.5
0.4
0.3
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1 ms
10 ms
100 ms, 1 s
10 s, DC
BVDSS Limited
0.01
Document Number: 65001
S09-1502-Rev. B, 10-Aug-09
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
5
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